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* '''Distorsion d'intermodulation selon la norme SMPTE :''' L'amplificateur est attaqué en entrée par un signal sinusoïdal de fréquence f1 (généralement 60 Hz) modulé par un signal sinusoïdal de fréquence f2 (généralement 7 kHz) d'un niveau inférieur à f1 dans un rapport de 4/1. Le signal de sortie est analysé de la façon suivante. Le signal f1 est retiré et le signal résiduel est filtré en passe-bande et démodulé pour révéler les produits d'intermodulation entre f1 et f2. Le résultat est exprimé en pourcentage calculé à partir de la somme de la moyenne quadratique (RMS, ''root mean square'' en anglais) des niveaux des produits d'intermodulation d'amplitude par rapport à f2. Cette méthode inclut le bruit dans la bande passante analysée et est insensible à la distorsion par modulation de fréquences.
* '''Facteur d'amortissement :''' Rapport entre l'impédance de sortie à 1 kHz et l'impédance de charge. Ce rapport doit être au moins supérieur à 16.
* '''Comportement sur charge complexe :''' Test qu'Étienne Lémery considérait comme l'un des plus importants. Il rend compte du comportement de l'amplificateur sur une charge de 4 ohms avec un déphasage de 60° entre le courant et la tension dû à la complexité de l'impédance. Ce déphasage correspond à celui que peut produire une enceinte acoustique dans le grave ; il n'existe pas avec les charges résistives pures utilisées pour les mesures de puissances de sortie ci-dessus. Un amplificateur capable de sortir sa puissance maximale sur cette charge pourra répondre à toutes les sollicitations dans le grave.
* '''Temps de montée :''' Caractérise la vitesse de réponse sur charge résistive.
* '''Réponse aux signaux carrés à 10 kHz :''' Donne une idée du comportement de l'amplificateur en régime transitoire sur charge résistive de 8 ohms (oscillogramme du haut) et sur charge capacitive de 8 ohms en parallèle avec 1 µF (oscillogramme du bas). Sur certains appareils avec étage de sortie à transistors en ''push-pull'', les oscillogrammes font parfois apparaître au voisinage du zéro des anomalies dues au passage d'un transistor à un autre.
